تسلط سیلیکون بر جهان الکترونیک ممکن است بزودی پایان یابد؛ چرا که محققان آمریکایی اکنون با ترکیب ترانزیستورهای فیلم نازک نانولوله کربنی با سایر ترانزیستورهای فیلم نازک موفق به طراحی یک مدار هیبریدی منعطف با انرژی کارآمد شده‌اند.

 از آنجایی که نانولوله‌های کربنی شفافتر و منعطف‌تر بوده و می‌توان آنها را با هزینه کم پردازش کرد،‌ این ترکیب می‌تواند جای سیلیکون را به عنوان ماده ترانزیستور سنتی مورد استفاده در تراشه‌های الکترونیکی بگیرد.

محققان دانشگاه کالیفرنیای جنوبی این مدار کارآمد را با ادغام ترانزیستورهای فیلم نازک نانولوله کربنی با ترانزیستورهای فیلم نازک متشکل از ایندیوم، گالیوم و اکسید روی (IGZO) تولید کردند.

نانولوله‌های کربنی بقدری کوچک هستند که آنها را تنها می‌توان بوسیله میکروسکوپهای اسکن الکترونی مشاهده کرد.

این پیوندزنی فیلمهای نازک نانولوله کربنی و فیلمهای نازک IGZO با ترکیب انواع به ترتیب مثبت و منفی آنها برای ایجاد مدارهایی حاصل شد که می‌توانند بطور کامل فعالیت کرده،‌ از دست رفتن نیرو را کاهش و بهره‌وری را افزایش دهند.

گنجاندن ترانزیستورهای فیلم نازک IGZO برای ارائه بهره‌وری نیرو به منظور افزایش عمر باتری ضروری بود.

نتایج این پژوهش در مجله Nature Communications منتشر شده است.