حافظه‌ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DDR4 جدید سامسونگ با توجه به استفاده از یک چیپ هشت گیگابیتی DRAM و ابعاد کوچک، دارای بالاترین کارایی و بهره‌وری انرژی است. این حافظه به‌منظور استفاده در طیف گسترده‌ای از سیستم‌های محاسباتی نسل بعد طراحی شده است. کلاس ۱۰ نانومتر، نشان‌دهنده‌ی بخشی از فناوری پردازش بین ۱۰ تا ۱۹ نانومتر است. سامسونگ اولین بار حافظه‌ی ۱۰ نانومتری DRAM خود را در فوریه ۲۰۱۶ عرضه کرد.

جیویانگ جیم رئیس بخش بازرگانی حافظه در شرکت سامسونگ، می‌گوید:

با توسعه‌ی فناوری‌های نوین در طراحی و پردازش DRAM، یکی از موانع اصلی مقیاس‌پذیری آن برداشته شده است. همچنین به‌منظور پاسخگویی به تقاضای بالای بازار و ادامه‌ی تقویت رقابت تجاری خود، تولید حافظه‌ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DRAM را از طریق راه‌اندازی سریع خط تولید، به‌سرعت افزایش می‌دهیم.

بهره‌وری حافظه‌ی جدید ۱۰ نانومتری DDR4 سامسونگ حدود ۳۰ درصد از نسل قبلی بیشتر است. به‌علاوه سطح عملکردو بهره‌وری انرژی این پردازنده نیز به‌دلیل استفاده از فناوری‌های پیشرفته و مدار اختصاصی طراحی‌شده، به‌ ترتیب ۱۰ و ۱۵درصد ارتقاء یافته است. همچنین حافظه‌ی هشت گیگابیتی DDR4 جدید می‌تواند با ۳۶۰۰ مگابیت بر ثانیه در هر پین عمل کند که در مقایسه با ۳۲۰۰ مگابیت بر ثانیه در  حافظه‌ی نسل، قبل افزایش داشته است.

برای دستیابی به این دستاوردها؛ سامسونگ به‌جای استفاده از فرآیند EUV (اشعه‌ فرابنفش)، از فناوری‌های جدید استفاده کرده است، که شامل استفاده از یک سیستم سنجش داده‌های سلولی با حساسیت بالا و طرح ایراسپیسر (Air spacer) پیشرفته است.

در سلول‌های نسل دوم حافظه‌ی ۱۰ نانومتری DRAM، سیستم جدید سنجش داده‌ها قادر است میزان داده‌ی ذخیره‌شده در هر سلول را به‌طور دقیق تعیین کند که این موضوع سبب افزایش قابل توجه یکپارچگی مدار و بهره‌وری تولید می‌شود.

حافظه‌ی ۱۰ نانومتری جدید همچنین از یک ایر اسپیسر منحصربه‌فرد بهره می‌برد که در اطراف خطوط بیت قرار گرفته است تا به‌طور چشم‌گیری باعث کاهش پارازیت ظرفیت خازنی شود. پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته است که بین قسمت‌های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به‌ دلیل مجاورت آن‌ها با یکدیگر به‌ وجود می‌آید. زمانی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک هستند، تحت تأثیر میدان الکتریکی یکدیگر قرار می‌گیرند و بار الکتریکی مخالف را مانند آن‌هایی که توسط خازن تولید شده‌ است ذخیره می‌کنند. استفاده از ایر اسپیسر نه‌تنها باعث مقیاس‌گذاری در سطح بالا می‌‌شود بلکه سرعت عمل سلول را نیز افزایش می‌دهد.

با این پیشرفت‌ها به‌ نظر می‌رسد سامسونگ در حال شتاب دادن برنامه‌های خود برای معرفی هر‌چه سریع‌تر سیستم‌ها و چیپ‌های نسل بعد شامل DDR5، HBM3، LPDDR5 و GDDR6 است که می‌توان از آن‌ها در سرورهای سازمانی، دستگاه‌های تلفن همراه، ابررایانه‌ها، سیستم‌های HPC و کارت‌های گرافیک سرعت بالا استفاده کرد.

سامسونگ قرارداد همکاری با شرکت‌های سازنده‌ی پردازشگر برای ساخت ماژول ۱۰ نانومتری DDR4 نسل دوم خود را نهایی کرده است و در مرحله‌ی بعد در نظر دارد با مشتریان بخش IT (فناوری اطلاعات) برای توسعه‌ی سیستم‌های محاسباتی کارآمدتر نسل بعد همکاری کند.

علاوه بر این، سامسونگ به‌عنوان رهبر تولید DRAM، نه‌تنها انتظار دارد به‌سرعت حجم تولید حافظه‌ی ۱۰ نانومتری نسل دوم را در خطوط تولید افزایش دهد؛ بلکه در نظر دارد این میزان تولید بیش از حافظه‌ی ۱۰ نانومتری نسل اول باشد که این موضوع سبب رشد تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم‌های الکترونیکی پیشرفته در جهان است.