اسپاتیفای که پیش‌از‌این سرویس پریمیوم یک‌ماهه دراختیار کاربران خود قرار می‌داد تا آن‌ها را با امکانات این سرویس آشنا کند، در واکنش به اقدام اپل برای افزایش این مدت از یک به سه ماه برای کاربران اپل موزیک، مدت زمان استفاده‌ی رایگان از سرویس پریمیوم خود را به سه ماه افزایش داد. حالا کاربران هر دو سرویس استریم موزیک می‌توانند سه ماه به‌‌رایگان از امکانات سرویس پولی این پلتفرم‌ها استفاده کنند.

اسپاتیفای اعلام کرد این امکان دائمی و بین‌المللی خواهد بود و برای سرویس‌های انفرادی فعال شده است که تا‌به‌حال از امکانات پریمیوم استفاده نکرده‌اند. قرار است در ماه‌های آینده، این امکان برای سرویس‌های خانوادگی و غیرانفرادی هم فعال شود. پس از پایان این دوره، کاربر می‌تواند با همان مبلغ قبلی (۹.۹۹ دلار برای یک ماه) سرویس پریمیوم را بخرد.

اسپاتیفای هم‌زمان با این فعالیت‌ها، مقابله با اشتراک‌گذاری غیرقانونی حساب‌های کاربری خود را هم افزایش داده است. این کار برای سوق‌دادن کاربران به پرداخت هزینه‌ی سرویس‌های پولی انجام می‌شود. افزون‌براین، این شرکت مشهور برای جذب کاربران بیشتر، در حال گسترش قابلیت‌های مرتبط با سرویس‌های خانوادگی است.

مجموعه‌ی این سیاست‌ها به اسپاتیفای کمک کرده است به رکوردی خیره‌کننده درزمینه‌ی کاربران سرویس‌های پولی دست پیدا کند. البته، این شرکت همچنان راه درازی در این زمینه در پیش دارد. مجله‌ی بیلبورد اخیرا در گزارشی اعلام کرده میزان درآمد اسپاتیفای به‌ازای هر کاربر این سرویس در حال کاهش است.

ریزپردازنده‌‌های مدرن از پیچیده‌ترین سیستم‌های به‌کار‌رفته در دستگاه‌های جهان هستند که در قلب آن‌ها، بخشی بسیار ساده و زیبا به‌نام ترانزیستور وجود دارد. امروزه، میلیاردها ترانزیستور در ریزپردازنده‌ها وجود دارد که تقریبا همه‌ی آن‌ها ساختاری مشابه هم دارند. بهبود کارایی و افزایش تراکم این ترانزیستورها ساده‌ترین راه برای‌ افزایش عملکرد ریزپردازنده‌ها و رایانه‌هایی است که ریزپردازنده‌ها به آن‌ها نیرو می‌دهند.

این افزایش تراکم پایه‌ و‌ اساس قانون‌ مور است. این قانون بیان می‌کند تعداد ترانزیستورهای روی‌ یک تراشه با مساحت ثابت، هر دو سال تقریبا دوبرابر می‌شود؛ حتی اکنون که دیگر این‌ قانون به‌سختی اجراشدنی است. باوجوداین‌ مشاهده می‌شود ساختن ترانزیستورهای کوچک‌تر و بهتر برای ریزپردازنده‌ها بدون درنظر‌گرفتن هزینه‌ی سرسام‌آور ساخت این تراشه‌ها سخت‌تر شده‌ است. کاستن از اندازه‌ی این ترانزیستورها در چنین ابعادی، نیازمند امکاناتی است که فقط شرکت‌های اینتل و سامسونگ و صنایع نیمه‌هادی تایوان (TSMC) از آن برخوردار و در‌حال‌حاضر در حال تولید مدارهای مجتمع (IC) با لیتوگرافی هفت‌ نانومتری هستند.

هفت نانومتری بودن ساختار ترانزیستورها مفهوم فیزیکی خاصی ندارد و فقط مقیاسی برای نشان‌‌دادن میزان کوچک‌شدگی دستگاه‌های موجود در مدارهای مجتمع‌ است. این سبک از نام‌گذاری از دوران کشف قانون مور مرسوم بود.

در‌حال‌حاضر، معماری پردازنده‌ها با لیتوگرافی هفت نانومتری، جدیدترین فناوری به‌کاررفته در این صنعت است؛ اما سامسونگ و TSMC در آوریل سال جاری اعلام کردند کار روی پردازنده‌های خود با لیتوگرافی‌ پنج نانومتری را آغاز کرده‌اند. البته، سامسونگ پا را از این فراتر گذاشته و تصمیم گرفته‌ است با کنار‌گذاشتن سنت‌ها در تولید پردازنده در یک دهه‌ی اخیر، پردازنده‌های جدیدی را از سال ۲۰۲۰ با لیتوگرافی سه نانومتری و تکیه بر طراحی جدید به‌صورتی محدود تولید و روانه‌ی بازار کند.

به ترانزیستورهای جدید القاب مختلفی از قبیل دروازه‌ی همه‌طرفه و کانال چندوجهی و نانوبام داده شده‌ است؛ اما در مراکز تحقیقاتی، به آن‌ها صفحات نانو می‌گویند. نحوه‌ی نام‌گذاری این ترانزیستورها نکته‌ی چندان مهمی نیست؛ بلکه موضوع مهم این است که طرح به‌کار‌رفته در این‌ دست از ترانزیستورها، امکان دارد طراحی نهایی در ساختار تمامی ترانزیستورها بعد از این برهه‌ی زمانی باشد. قطعا تغییراتی جزئی در ساختار ترانریستورهای نسل بعدی‌ ایجاد خواهد‌ شد؛ اما روش اصلی ساخت همان نانوصفحات خواهند بود.

شکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده‌ است؛ اما ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (MOSFET) که در ریزپردازنده‌ها استفاده می‌شوند، از زمان اختراع در سال ۱۹۵۹، همان ساختار پایه را دارند و همگی شامل پشته‌ی دروازه، ناحیه‌ی کانال، الکترود منبع و الکترود تخلیه هستند. در شکل اصلی ترانزیستور، منبع و تخلیه و کانال از جنس سیلیسیم ناخالص هستند و ساختار این ناخالصی‌ها اتم‌‌های عناصر دیگر را شامل می‌شود تا منطقه‌ای با بار منفی سیّار زیاد (نوع n) یا منطقه‌ای با بار مثبت سیّار زیاد (نوع p) به‌وجود آورد. البته، فناوری CMOS (ترکیب بنیادی در ساخت مدارهای مجتمع) که در تراشه‌های رایانه‌های امروزی کاربرد دارد، نیازمند هر دو نوع پیوند n و p از ترانزیستور است.

پشته‌ی دروازه در MOSFET درست در بالای ناحیه‌ی کانال قرار دارد. در تراشه‌های امروزی، ‌پشته‌ی دروازه از فلزی برای الکترود دروازه ساخته می‌شود که روی لایه‌ای از مواد دی‌الکتریک، نوعی عایق قطبیده‌شده، قرار گرفته است تا میدان الکتریکی در ناحیه‌ی کانال ترانزیستور ایجاد و از نشت بار جلوگیری شود. با اعمال ولتاژ زیاد در مقایسه با ولتاژ منبع روی دروازه، لایه‌ای از حامل‌های بار سیّار در نزدیکی رابط میان دی‌الکتریک و سیلیسیم ایجاد می‌شود و با کاهش ولتاژ دروازه تا نزدیکی عدد صفر، مسیر رسانا تقریبا بسته و ترانزیستور خاموش می‌شود.

ابتدا به ولتاژی قوی احتیاج داریم تا جریان را ازطریق کانال از منبع به تخلیه برساند. ازآنجاکه ساختار ترانزیستورها روزبه‌روز کوچک‌تر می‌شود، آثار این ولتاژ قوی درنهایت به بزرگ‌ترین تغییرشکل در تاریخ ترانزیستور منجر خواهد شد. دلیل صحت این گفته آن است که ولتاژ اعمال‌شده می‌تواند ناحیه‌ای رسانا بین الکترودها ایجاد کند و هرچه قسمت مربوط‌به کانال با معرفی نسل جدید ترانزیستور کوتاه‌تر می‌شود، تأثیر تخلیه ولتاژ بیشتر می‌شود. همچنین، بار می‌تواند از زیر منطقه‌ی نزدیک به دروازه نشت کند؛ درنتیجه ترانزیستور هرگز خاموش نمی‌شود و باعث اتلاف برق و تولید گرما می‌شود.

در ترانزیستورها برای جلوگیری از نشت ناخواسته‌ی بار، ناحیه‌ی کانال باید نازک‌تر شود تا مجالی برای نشت نباشد و دروازه، کانال‌ را از اطراف احاطه کند. به همین‌ دلیل، در ترانزیستورهای امروزی FinFET (ترانزیستور باله‌ی اثر‌میدان)، ناحیه‌ی کانال به‌سمت خود کج شده‌ است تا باله‌ی باریک سیلیکونی بین منبع و تخلیه شکل بگیرد و مسیری وسیع‌تر برای جریان فراهم سازد. البته، دروازه و دی‌الکتریک روی آن باله را پوشانده‌اند و آن‌ را برخلاف ترانزیستورهای قدیمی‌تر، از سه طرف احاطه کرده‌اند.

سیر تکامل FET (ترانزیستور اثرمیدان)

از زمان معرفی ترانزیستورها در سال ۱۹۵۹، ترانزیستور اثرمیدان عمدتا در سطح صافی از سیلیکون ساخته می‌شد؛ اما برای کنترل بهتر نشت جریان، شکل باله‌ای برجسته را به‌خود گرفت و اکنون نیز در حال تبدیل‌شدن به‌ حجم انبوهی از ورق‌ها هستند.

بدون ‌شک ساخت ترانزیستورهای FinFET موفقیت بزرگی بود. درحالی‌که بیش از یک دهه از زمان معرفی FinFET سپری شده است، اولین ترانزیستوری که در سال ۲۰۱۱ اینتل، سامسونگ، TSMC و سایر شرکت‌ها در قالب لیتوگرافی ۲۲ نانومتری از آن استفاده کردند، مبتنی‌بر این فناوری بود. در آخرین دوره‌ی عمر قانون مور، بار کاری سیلیکون‌های پیشرفته به دوش FinFET بود؛ اما درنهایت، دوران طلایی این ترانزیستورها نیز به پایان خواهد رسید.

با وجود پردازنده‌های سه نانومتری، دیگر FinFETها قادر به رفع نیازها نخواهند بود. فناوری FinFET درکنار مزایا، معایبی نیز دارد. به‌عنوان مثال، این ترانزیستورها در طراحی محدودیت‌هایی دارند که در ترانزیستورهای مسطح قدیمی مطرح نبود. برای درک این مشکل، ابتدا باید بدانیم همواره میان سرعت ترانزیستور، مصرف برق، پیچیدگی ساخت و هزینه‌ی آن نوعی تعادل وجود دارد و این تعادل ارتباط زیادی با عرض کانال دارد که در مراکز طراحی دستگاه، به‌ آن Weff گفته می‌شود. اگر عرض کانال بیشتر باشد، ترانزیستور جریان بیشتری هدایت می‌کند و سریع‌تر خاموش و روشن می‌شود؛ اما به‌طبع فرایند ساخت پیچیده و پرهزینه‌تری دارد.

در ترانزیستورهای مسطح، این تعادل به‌سادگی با تنظیم هندسی کانال (شکل، اندازه و...) ایجاد می‌شود؛ اما باله‌ای که در FinFETها وجود دارد، از انعطاف‌پذیری زیاد جلوگیری می‌کند. اتصالات فلزی که ترانزیستورها را در مدار به‌هم وصل می‌کنند، در لایه‌هایی بالاتر از خود ترانزیستورها قرار دارند. به همین دلیل، باله‌های ترانزیستور نمی‌توانند ازنظر ارتفاع بدون برخورد به اتصالات فلزی در بالای ترانزیستور خیلی بلند باشند (مانند عرض در نمونه‌های مسطح). امروزه، طراحان تراشه‌ها با ساخت ترانزیستورهای خاصی که چندین باله دارند، این مشکل‌ را حل کرده‌اند.

یکی‌ دیگر از کاستی‌های FinFETها، این است که دروازه‌ی آن باله‌ی سیلیکونی مستطیلی‌شکل‌ را فقط از سه جهت احاطه می‌کند و قسمت پایینی به بدنه سیلیکونی متصل می‌شود. این اتصال موجب نشتی جریان هنگام خاموش‌بودن ترانزیستور می‌شود. محققان معتقدند برای کنترل کامل جریان در ناحیه‌ی کانال، دروازه باید این قسمت را به‌طور کامل احاطه کند.

محققان با دریافتن این نکته، در سال ۱۹۹۰ اولین وسیله‌ی سیلیکونی‌ را معرفی کردند که در آن، دروازه به‌طور کامل ناحیه‌ی کانال‌ را احاطه کرده‌ بود. از آن زمان، گروهی از محققان روی دستگاه‌هایی کار می‌کنند که به‌اصطلاح به آن‌ها «دروازه‌ی همه‌طرفه» گفته می‌شود. محققان پس از به‌حداقل‌رساندن نشت جریان، منطقه‌ی کانال را تا سال ۲۰۰۳ به نانوسیم باریکی تبدیل کردند که از منبع و تخلیه عبور می‌کرد و از همه‌‌ی جهات دروازه آن را احاطه کرده‌ بود.

نانوسیم‌های دروازه‌ی ‌همه‌طرفه به‌دلیل کم‌عرض‌بودن کانال، نمی‌توانند مبنای توسعه‌ی ترانزیستورهای نسل جدید باشند. سیم باریک مجال کمی برای فرار الکترون‌ها میسر می‌سازد؛ بنابراین، ترانزیستور وقتی باید خاموش باشد، خاموش می‌شود؛ اما درصورت روشن‌بودن ترانزیستور، به‌‌دلیل نازک‌بودن سیم فضای کمی برای عبور جریان الکتریسته فراهم و کاهش جریان و ایجاد کندی در روند خاموش و روشن کردن ترانزیستور را باعث می‌شود.

با قرار‌دادن نانوسیم‌ها روی یکدیگر، می‌توان Weff و جریان بیشتری تولید کرد. مهندسان سامسونگ در سال ۲۰۰۴ نسخه‌ای از‌ این پیکر‌بندی را به‌نام «کانال چندوجهی FET» رونمایی کردند؛ اما این کانال چندوجهی نیز محدودیت‌هایی داشت. به‌عنوان مثال، همانند باله در FinFET، ارتفاع پشته نباید خیلی زیاد شود تا به لایه‌ی اتصال برخورد کند یا با افزودن هر نانوسیمی بیش‌ از‌ حد مجاز ظرفیت دستگاه سرعت تعویض حالت روشن‌ و‌ خاموش ترانزیستور کندتر می‌شود. درنهایت، به‌دلیل پیچیدگی ساخت نانوسیم‌های باریک آن‌ها اغلب در کناره‌های ترانزیستور زبر و زمخت می‌شوند. این زبری می‌تواند از سرعت جریان بکاهد.

در سال ۲۰۰۶، یکی از مهندسان مؤسسه‌ی تحقیقاتی CEA-Leti فرانسه ایده‌ی بهتری ارائه داد. وی به‌جای استفاده از انبوهی از نانوسیم‌ها برای عبور از منبع و تخلیه، از پشته‌ای از ورق‌های نازک سیلیسیومی استفاده کرد. طبق این‌ ایده در ترانزیستور کوچک‌تر با افزایش عرض کانال‌ همراه‌ با کنترل مداوم بیشتر، می‌توان وسیله‌ای کم‌مصرف با عملکرد بهتری تولید کرد. محققان IBM با هدایت یکی دیگر از مهندسان نشان‌ دادند درواقع ترانزیستور ساخته‌شده از انبوهی از صفحات نانو، Weff بیشتری در مقایسه با ترانزیستورهای مبتنی‌بر فناوری FinFET به‌دست می‌دهد که همان مقدار تراشه را اشغال می‌کنند. این ایده در سال ۲۰۱۷ به ‎کار برده‌‌ شد.

امتیاز دیگر طراحی نانوصفحات انعطاف‌پذیری ‌آن‌ها است. این ویژگی در روند توسعه‌ی ترانزیستورها پس از عرضه‌ی تراشه‌های مذکور با‌ استفاده از فناوری FinFET از دست رفته‌ بود. در نانوصفحات می‌توان برای تقویت جریان، صفحات‌ را گسترده کرد یا برای کاهش مصرف برق، آن‌ها را باریک کرد. محققان IBM صفحات‌ را در پشته‌های سه‌گانه با اندازه‌های مختلف از ۸ تا ۵۰ نانومتر قرار داده‌اند.

برای ساختن نانوصفحات لایه‌ی قربانی (برای ساخت اجزای پیچیده مانند قطعات متحرک)، مواد شیمیایی با واکنش‌پذیری فراوان و فناوری دقیق و پیشرفته‌ی رسوب اتمی موردنیاز است. اغلب در فرایند ساخت نیمه‌هادی‌ها که سیلیکون ذوب و به بلور‌ آن تبدیل می‌شود، تراشه باید صیقل داده‌ و صاف ‌شود و قطعات قسمت‌های مختلف نیمه‌هادی روی سطح تراشه به‌هم وصل‌ شوند؛ به‌ همین‌ دلیل، ساخت نیمه‌هادی‌ها فرایندی زمان‌بر است. وظیفه‌‌ی نانوصفحات پاک‌سازی مواد میان لایه‌ها و پر‌کردن این فاصله‌ها با دی‌الکتریک و مواد دیگر است.

نکته‌ی اصلی در ساخت ترانزیستورها، نحوه‌ی درست‌کردن ابر‌شبکه (Superlattice) (ساختار تناوبی از لایه‌های دو یا چند ماده) است که در ساخت ترانزیستور‌های نانوصفحه از ابرشبکه‌هایی با لایه‌های سیلیکون و ژرمانیم‌ سیلیکون استفاده‌ می‌شود. پژوهشگران ابرشبکه‌هایی با ۱۹ لایه ساخته‌اند؛ ولی دو عامل شدت نیروهای درونی لایه‌ها و افزایش ظرفیت ابرشبکه، استفاده از تعداد بیشتر لایه‌ها را غیر‌معقول جلوه می‌دهد.

بعد‌ از‌ اینکه ابر‌شبکه‌ای با تعداد لایه‌های مناسب ساختیم، با‌ استفاده از نوعی ماده‌ی شیمیایی، لایه‌های ژرمانیم‌ سیلیکون را حذف می‌کنیم؛ ولی لایه‌های سیلیکون همچنان باقی می‌مانند و نانوصفحات سیلیکون نیز مانند پلی میان منبع و تخلیه قرار می‌گیرند. استفاده از این لایه‌ها ایده‌ی جدیدی نیست و ۲۰ سال پیش، مهندسان در شرکت مخابراتی فرنس‌تله‌کام و STMicroelectronic برای ساختن ترانزیستورهای آزمایشی «سیلیکون ‌روی هیچ‌چیز» از این لایه‌ها استفاده کردند. این ترانزیستورها با نگه‌داشتن‌ لایه‌ای از هوا زیر محدوده‌ی کانال ترانزیستور، سعی کردند معایب کانال‌ کوتاه (عملکرد نامناسب و افزایش حرارت) را کاهش دهند.

پس‌ از‌ آنکه نانوصفحه‌ی سیلیکونی به‌عنوان پلی میان منبع و تخلیه قرار گرفت، باید شکاف‌های اطراف کانال را پر کنیم. برای‌ این‌ کار از فرایند رسوب لایه‌ی اتمی استفاده می‌کنیم. این فرایند بیش از یک دهه‌‌ی قبل برای ساخت تراشه‌های نیمه‌رسانا معرفی شد و مطابق‌ با آن، شکاف‌ها‌ را ابتدا با دی‌الکتریک و سپس با مواد به‌کاررفته در پشته‌ی دروازه پر می‌کنیم.

در این فرایند که «رسوب لایه‌ی اتمی» نام دارد، نوعی ماده‌ی گازی شیمیایی جذب سطح فوقانی تراشه می‌شود. حتی اگر تراشه زیر نانوصفحه باشد، باز‌هم این ماده جذب می‌شود و لایه‌ای روی تراشه تشکیل می‌دهد، سپس، ماده‌ی دوم برای واکنش‌ نشان‌دادن با ماده‌ی اول افزوده می‌شود و لایه‌ای بسیار نازک از مواد موردنیاز مانند دی‌الکتریک دی‌اکسید‌هافنیوم تشکیل می‌دهد. این‌ فرایند به‌اندازه‌ای دقیق است که می‌تواند ضخامت لایه‌ی رسوب‌شده‌ی نهایی را تا حد لایه‌ای اتمی کنترل‌ کند.

نکته‌ی حیرت‌انگیز در ساخت ترانزیستورهای نانوصفحه که از انقراض قانون مور نیز جلوگیری کرده‌، استفاده‌ از آلیاژ سیلیسیم در کانال ترانزیستور است. تا حد زیادی آنچه در این بین مشکلاتی ایجاد می‌کند، گرما است. اگرچه با ساخت هر تراشه با لیتوگرافی کمتر مساحت کاهش می‌یابد، مقدار گرمایی که مدار مجتمع می‌تواند از بین ببرد (تراکم قدرت)، بیش از یک دهه است که در حدود ۱۰۰ وات‌ بر سانتی‌متر‌مربع ثابت مانده‌ است.

تراشه‌سازان برای ثابت نگه‌داشتن تراکم‌ قدرت تراشه‌ها تلاش بسیاری کرده‌اند. برای پایین نگه‌داشتن سطح دما، فرکانس پردازشی نباید از میزان چهار گیگاهرتز تجاوز کند؛ به‌ همین دلیل، صنعت تولید تراشه‌های پردازشی به طراحی‌های چندهسته‌ای روی آورد. با استفاده از این‌ طرح، چندین هسته‌ی پردازشی با فرکانس پردازشی پایین عملکرد همان هسته‌ی پرسرعت را ایفا می‌کرد و حتی گرمای کمتری نیز تولید می‌شد. برای افزایش دوباره و بیشتر فرکانس پردازشی تا جایی که استفاده از سیلیسیم به‌ ما اجازه می‌دهد، ما به ترانزیستورهایی با بازده انرژی بیشتر نیازمندیم.

یکی از راه‌حل‌های بالقوه برای ساخت ترانزیستوری با بازده‌ی انرژی بیشتر و تولید گرمای کمتر، استفاده از موادی مثل ژرمانیم یا نیمه‌رسانا‌های تشکیل‌شده از عناصر ستون سه و چهار جدول تناوبی مانند گالیم‌آرسنید در ناحیه‎‌ی کانال است. بدین‌ترتیب، الکترون‌ها ۱۰ برابر سریع‌تر از حالت‌های قبلی حرکت می‌کنند و سرعت خاموش و روشن‌ شدن ترانزیستور نیز بیشتر می‌شود. بااین‌حال، مزیت اصلی تسریع حرکت الکترون‌ها کاهش ولتاژ مصرفی دستگاه است که باعث بهینه‌شدن مصرف انرژی در ترانزیستور می‌شود.

در سال ۲۰۱۲، مهندسی با نام Ye با ساخت ترانزیستوری سه نانوصفحه‌ای با استفاده از ایندیوم‌ گالیوم‌آرسنید، نیمه‌رسانای ستون سه و چهار جدول تناوبی و نیز الهام از پژوهش‌های انجام‌شده روی ترانزیستورهای نانوسیم و ساختار ابر‌شبکه، به نتایج بسیار خوبی دست‌ یافت. در این نوع ترانزیستور به‌ازای‌ هر میکرومتر از عرض کانال، جریانی معادل ۹,۰۰۰ میکروآمپر عبور می‌کرد که این مقدار سه‌برابر جریان عبوری در ترانزیستورهای مسطح ایندیوم‌‌ گالیوم‌آرسنید امروزی نوع MOSFET است.

با اینکه بازده‌ی انرژی ترانزیستور سه‌ نانو‌صفحه‌ای هنورهم به‌میزان مدنظر نرسیده‌ است، این ترانزیستورها برای آینده‌ی مدارهای مجتمع‌ پرسرعت با بازده‌ی انرژی بیشتر بسیار مهم هستند؛ چون اگر در آینده فرایند تولید ریزپردازنده‌ها پیشرفت کند، ممکن است با قرار‌دادن نانوصفحه‌های بیشتر بتوانیم میزان عملکرد را تا ۱۰ برابر افزایش‌دهیم. محققان آزمایشگاه‌های HRL در مالیبوی کالیفرنیا روی ترانزیستورهایی کار می‌کنند تا با قراردادن ده‌ها نانوصفحه روی‌هم، دستگاه قدرتی نیترید‌گالیم‌ را بسازند.

البته، ایندیوم‌ گالیوم‌آرسنید تنها راه پیشرفت ترانزیستورها نیست؛ چراکه محققان نیمه‌رساناهای دیگری مثل ژرمانیم و آرسنید ایندیوم و آنتی‌مونید‌گالیوم را کشف کرده‌اند که از حامل‌های بار با تحرک بسیار زیاد بهره می‌برند و می‌توانند عامل پیشرفت ترانزیستورها باشند. به‌عنوان‌ مثال، محققان دانشگاه ملی سنگاپور به‌تازگی با کنارهم قرار‌دادن ترانزیستور نوع n ساخته‌شده از آرسنید‌ایندیوم و ترانزیستور نوع p ساخته‌شده از آنتیمونیدگالیوم، مدار مجتمع کامل CMOS (نیمه‌رسانای اکسید‌فلز مکمل) ساخته‌اند.

باوجوداین، راه‌حل ساده‌تر برای استفاده از نیمه‌رساناهای دارای حامل‌های بار، این‌ است که از ژرمانیوم ناخالص استفاده کنیم؛ چراکه به‌دلیل این‌ ناخالصی، سرعت الکترون‌ها و حفره‌هایی که حامل بار مثبت هستند، بسیار زیاد ‌است. ناگفته نماند ازآنجاکه ژرمانیوم برای چنین صنعت حساس و دقیقی نامطمئن است و مشکلاتی درزمینه‌ی فرایند تولید دارد، ممکن است در عمل، برخی مراحل را با ژرمانیم‌ سیلیکون به‌عنوان ماده‌ی کانال انجام ‎دهند.

درمجموع، به‌نظر می‌رسد قراردادن نانوصفحات روی هم بهترین راه ممکن برای ساخت ترانزیستورهای آتی است. در‌حال‌حاضر، شرکت‌های تراشه‎ساز می‌توانند روش مد‌نظر را به‌زودی در دستورکار قرار دهند. همان‌طورکه همه پیش‌بینی می‌کنند، ترانزیستورهایی که با ادغام مواد نیمه‌رسانا با تحرک زیاد ساخته خواهند شد، آینده‌ی ترانزیستورها را رقم خواهند زد.

بنابر اعلام اچ‌پی، دیان ویسلر، مدیرعامل این شرکت، به‌دلیل مسائل مرتبط به سلامت یکی از اعضای خانواده‌اش از این سِمَت استعفا داده است. این شرکت اذعان کرده است انریکه لورس از اول نوامبر به‌جای ویسلر مدیرعامل این شرکت خواهد بود. لورس درحال‌حاضر مدیر بخش چاپگرهای اچ‌پی است.

براساس اعلام شرکت اچ‌پی، ویسلر تا زمان برگزاری مجمع عمومی سهام‌داران این شرکت که انتظار می‌رود آوریل ۲۰۲۰ برگزار شود، همچنان رئیس هیئت‌مدیره خواهد بود. ویسلر از سال ۲۰۱۵ مدیرعامل اچ‌پی بود. او از زمانی‌که این شرکت به دو بخش کامپیوتر و چاپگر و شرکت خدمات بازرگانی HPE تقسیم شد، مدیریت بخش کامپیوتر و چاپگر را برعهده داشت.

ناگفته نماند انریکه لورس نیز سابقه‌ی ۳۰ سال حضور در اچ‌پی را دارد و کارش را در این شرکت به‌عنوان کارآموز بخش مهندسی آغاز کرده است. او در سال ۲۰۱۸، بخشی از تیمی بود که چاپگر جاذبه‌ی صفر ساخته‌شده برای ایستگاه فضایی بین‌المللی را رونمایی کرد.

به‌گزارش پایگاه خبری ورج، چند ساعت بعد از انتشار خبر کناره‌گیری مدیرعامل اچ‌پی، سهام این شرکت در بازار بورس ۶ درصد سقوط کرد.

پس از اینکه دیروز در خبری اعلام کردیم دل نسل جدید لپ‌تاپ‌های DELL XPS-13 را با پردازنده‌های نسل دهمی اینتل معرفی کرد، امروز هم نوبت به نسل جدید سری محبوب Vostro-13 برای کاربردهای تجاری رسید تا علاقه‌مندان این دسته از لپ‌تاپ‌های دل نیز بیش از این انتظار نکشند.

طراحی

به‌گفته‌ی دل، سری‌ 5391 Vostro-13 با بدنه‌ا‌ی از جنس آلومینیوم و پلاستیک و ضخامت ۱۴.۹ میلی‌متر و وزن ۱.۱۸ کیلوگرمی را می‌توان با نوت‌بوک‌های پرچم‌دار ThinkPad X1 لنوو مقایسه کرد. دل استحکام بدنه‌ی این سری را با ۵۰ برنامه‌ی مختلف ازلحاظ  قابلیت اطمینان و شوک و لرزش آزمایش کرد تا از کیفیت ساخت آن مطمئن شود. علاوه‌برآن، این شرکت برای لپ‌تاپ مذکور خدمات پشتیبانی ویژه دربرابر آسیب‌های ناخواسته در نظر گرفته است که به‌صورت پیش‌فرض آن را با صفحه‌کلید مقاوم به پاشش مایعات و در برخی مدل‌های ویژه، با صفحه‌کلید مقاوم به پاشش مایعات همراه‌با نور پس‌زمینه ارائه می‌دهد.

نمایشگر

تمامی مدل‌های این سری به نمایشگر غیرلمسی TrueLife LED دل با زاویه‌ی دید گسترده و رزولوشن Full HD مجهز هستند.

پردازنده و حافظه

سری 5391 Vostro-13 از نسل دهم پردازنده‌های Core اینتل با نام کامت‌لیک (Comet Lake Core i3/i5/i7 - U) برخوردار است که با گرافیک مستقل MX250 انویدیا (با دو گیگابایت حافظه‌ی ویدئویی GDDR5) و چهار تا هشت گیگابایت حافظه‌ی DRAM و یک حافظه‌ی M.2 PCIe 3.0 x4 SSD تا سقف ۱ ترابایت همراه خواهد بود. همچنین، این پلتفرم به ماژول سخت‌افزاری TPM 2.0 مجهز است که باعث رضایت‌خاطر افرادی می‌شود که دغدغه‌های امنیتی دارند.

پورت‌ها و مولتی‌مدیا

وای‌فای 802.11ac، یک عدد پورت USB 3.1 Type-C، یک عدد پورت USB 3.1 Type-A، پورت HDMI 1.4، شکاف کارت حافظه MicroSD، جک ۳.۵ میلی‌متری هدفون و سوکت اتصال شارژر، مجموعه پورت‌های ارتباطی این سری را تشکیل می‌دهند. درزمینه‌ی مولتی‌مدیا نیز می‌توان به وبکم اینفرارد و میکروفون و اسکنر اثرانگشت با قابلیت Windows-Hello و دو عدد اسپیکرهای استریو با همکاری Waves MaxxAudio اشاره کرد.

باتری

دل  به عمر باتری لپ‌تاپ مذکور اشاره‌ای نکرده؛ اما اعلام کرده است مدل‌های این سری به یکی از دو باتری ۴۶ یا ۵۲ وات‌ساعتی مجهز خواهند شد.

زمان عرضه و قیمت

شرکت دل سری Vostro- 13 5391 را از همین هفته و با قیمت ۸۴۹ دلار برای مدل پایه عرضه خواهد کرد.

انویدیا ۲۰ اوت، درایور جدید Gamescom Game Ready Driver را برای کارت‌های گرافیک سری جی‌فورس خود منتشر کرد. همان‌طورکه دیده می‌شود، نام این درایور جدید از نام نمایشگاه صنعتی گیمزکام برگرفته شده است. خصوصیات اصلی این درایور شامل بهبود حداکثر ۲۳ درصدی در عملکرد گیمینگ، معرفی نوع پیمایش براساس اعداد صحیح و ویژگی‌های جدیدی مرتبط با وضوح تصویر است. در ابتدا، باگی هنگام نصب نرم‌افزار جانبی GeForce Experience ایجاد می‌شد که البته، این مشکل در به‌روزرسانی‌های بعدی حل شد.

مهم‌ترین ویژگی درایور جدید انویدیا برای دارندگان کارت‌های گرافیکی جی‌فورس، افزایش چشمگیر سرعت در بازی‌های حجیم و باکیفیت است که به‌ویژه در بازی‌های Apex Legends ،Battlefield V ،Forza Horizon 4 ،Strange Brigade و World War Z بهینه‌سازی‌های درخورتوجهی دیده می‌شود. در ابتدا با دیدن نمودار زیر که با استفاده از آخرین نسخه از سری RTX Super کارت‌های گرافیکی ترسیم شده است، متوجه میزان افزایش عملکرد در نرخ فریم در هر ثانیه خواهید شد.

یکی از مواردی که در ابتدا مدنظر قرار گرفت، ایجاد گزینه‌ی Ultra-Low Latency Options برای پاسخ سریع‌تر ورودی است. این ویژگی جدید برنامه‌ریزی فریم‌ها را درست به‌موقع فعال می‌سازد؛ یعنی قبل از اینکه پردازنده‌ی گرافیکی به آن‌ها نیازی داشته باشد، برای عملیات رندرینگ ارسال می‌کند. طبق ادعای انویدیا، ویژگی مذکور تأخیر در نرخ فریم را ۳۳ درصد کاهش می‌دهد.

برای استفاده‌ی کامل از ویژگی Ultra-Low Latency، بازی‌ها باید در باند پردازش گرافیکی با نرخ فریم بین ۶۰ تا ۱۰۰ فریم‌بر‌ثانیه اجرا شوند. به‌منظور فعال‌کردن این حالت، ابتدا کنترل پنل انویدیا را باز کنید و وارد manage 3D settings شوید. سپس با کشیدن صفحه به‌سمت پایین، از قسمت انتخاب حالت (Mode Selection) یکی از موارد زیر را برای هر بازی یا تمامی آن‌ها (Globally) فعال کنید:

• خاموش (Off): موتور بازی به‌طور خودکار یک تا سه فریم را برای ایجاد حداکثر توان رندرینگ تنطیم و صف‌بندی می‌کند.
• روشن (On): تعداد فریم‌های صف‌بندی‌شده را در یک فریم محدود می‌کند. این همان تنظیمات Max_Prerendered_Frames در درایورهای پیشین انویدیا است که روی مقدار یک تنظیم شده‌ است و با محدودکردن فریم‌ها در پردازنده قبل از ارسال به پردازنده‌ی گرافیکی، باعث کاهش تأخیر در ورودی می‌شود؛ اما اگر پردازنده‌ی دستگاه در تنگنا باشد، نرخ فریم را در اجرای بازی کاهش می‌دهد.
• اضافی (Ultra): فریم‌ها را درست به‌موقع برای پردازنده‌ی گرافیکی تنظیم می‌کند تا از آن‌ها استفاده و عملیات رندرینگ را شروع کند.

حالت Ultra-Low Latency با قابلیت پشتیبانی از تمامی پردازنده‌های گرافیکی، در نسخه‌های دایرکت‌ایکس 9 (DX9) و دایرکت‌ایکس 11 (DX11)، برای آزمایش بتا، دردسترس خواهد بود.

در چند ماه اخیر، پیمایش پردازنده‌ی گرافیکی براساس اعداد صحیح (Integer Scaling)، موضوع بسیار داغی میان توسعه‌دهندگان درایورهای گرافیکی اینتل بوده است. این روش، تکنیکی برای جبران بدون افت کیفیتِ کاهش تعداد پیکسل‌های بازی‌های قدیمی در صفحات نمایش جدید است که اکنون در کارت‌های گرافیکی انویدیا، با معماری تورینگ پیاده‌سازی شده است. اگر به‌دنبال لذت‌بردن از شفافیت زیاد در بازی‌هایی مانند FTL و Hotline Miami هستید، با رفتن‌ به پنل کنترل انویدیا، در منو تنظیم موقعیت و اندازه‌ی صفحه‌ی دسکتاپ (Adjust Desktop Size and Position)، نسخه‌ی آزمایشی Integer Scaling را فعال کنید.

فیلتر جدید Sharpen Freestyle که در درایور جدید انویدیا منتشر شده است، در مقایسه با فیلتر نسخه‌ی پیشین درایور کارت‌های گرافیکی جی‌فورس این شرکت با نام Detail، بهبودهایی در کیفیت تصویر و عملکرد به‌نمایش می‌گذارد. درحالی‌که کیفیت تصویر بهبود یافته، انویدیا مدعی‌ است میزان تأثیر آن بر عملکرد، نصف نسل پیشین است. بیش از ۶۰۰ بازی برپایه‌ی دایرکت‌ایکس 9، 11، 12 و رابط گرافیکی Vulkan از این فناوری شفاف‌ساز پشتیبانی می‌کنند و در به‌روز‌رسانی‌های بعدی درایور، تعداد بیشتری از بازی‌ها به این جمع اضافه خواهند‌ شد. به‌نظر می‌رسد این قابلیت در پاسخ‌ به ویژگی شفاف‌ساز تصویر AMD برای مدل 5700 XT سری رادئون باشد. شایان ذکر است سطح شفافیت در این ویژگی، قابلیت شخصی‌سازی دارد.

دیگر ویژگی‌های برجسته‌ی درایور نسخه‌ی Gamescom عبارت‌اند از: پشتیبانی از سه نمایشگر سازگار با فناوری همگام‌سازی G-Sync شامل نمایشگر ایسوس مدل VG27A و نمایشگر ایسر مدل CP3271 و نمایشگر GP مدل XB273K، پشتیبانی از عمق رنگ ۳۰ بیتی که پیش‌از‌این تنها در درایورهای سری Studio انویدیا میسر بود و تنظیمات بهینه برای تعداد بیشتری از بازی‌ها.

همان‌گونه که در مقدمه ذکر شد، انتشار اولیه‌ی درایور مذکور مشکل بزرگی با خود به‌همراه داشت. براساس گزارش سایت TechPowerUp، نرم‌افزار جانبی GeForce Experience بدون درنظر‌گرفتن رضایت کاربر و در تعارض‌ با مقررات عمومی حفاظت از داده‌ی اتحادیه‌ی اروپا (GDPR)، خود‌به‌خود نصب می‌شد و برداشتن تیک آن در حالت نصب کاستوم غیرممکن بود. این باگ با بارگیری دوباره‌ی درایورها به‌صورت مستقیم از سرور انویدیا برطرف شد.

اواخر خرداد، گوگل تصویری از پیکسل ۴ در حساب توییتر خود منتشر کرد. حالا به‌لطف تصاویر و اخبار بسیاری که تاکنون از گوشی‌های هوشمند جدید گوگل منتشر شده، برخی ویژگی‌های اصلی پیکسل ۴ و پیکسل ۴ ایکس ال پیش از موعد رونمایی دردسترس قرار گرفته است.  

یکی از کانال‌های یوتیوب با نام Waqar Khan، با استفاده از اطلاعات ارائه‌شده‌ی گوگل و سایر اطلاعات موجود، ویدئویی مفهومی از پیکسل ۴ تهیه کرده و دستگاه بعدی گوگل را از زوایای مختلف به‌نمایش گذاشته است. 

در ویدئو مفهومی به تراشه‌ی اسنپدراگون ۸۵۵ کوالکام و نمایشگر با نرخ تازه‌سازی ۹۰ هرتز اشاره شده است. همچنین در ویدئو مذکور، چینش مربعی‌شکل دوربین پنل پشتی به‌علاوه‌ی حاشیه‌ی باریک دستگاه‌ به‌خوبی مشاهده می‌شود. گوگل تأیید کرده است پیکسل ۴ نخستین دستگاهی خواهد بود که از تراشه‌ی رادار سالی (Soli) برای قابلیت‌هایی چون بازکردن قفل گوشی با اسکن صورت (Face Unlock) و ژست‌های حرکتی بهره می‌برد.

در ویدئو مفهومی، گوشی هوشمند پیکسل ۴ در رنگ‌های متنوعی به‌نمایش گذاشته شده که رنگ کلید پاور هرکدام متفاوت است. انتظار می‌رود پیکسل ۴ به‌جای بهره‌مندی از حسگر اثرانگشت فیزیکی از حسگر اثرانگشت زیر نمایشگر بهره ببرد. 

با وجود آنکه این ویدئو به‌ بهترین شکل پیکسل ۴ را به‌تصویر کشیده است، نمی‌توان طراحی آن را کاملا تأیید کرد. درنتیجه، ممکن است در رویداد رونمایی دستگاه، با برخی مشخصات متفاوت در مقایسه با آنچه در ویدئو به‌اشتراک گذاشته شده است، برخورد کنیم. درنهایت، باید منتظر رویداد رونمایی گوگل بمانیم و ببینیم پیکسل ۴ و پیکسل ۴ ایکس ال با چه مشخصاتی معرفی خواهند شد. 

بعد از مد‌ت‌ها انتظار، سرانجام گلکسی نوت ۱۰ و گلکسی نوت ۱۰ پلاس معرفی شدند. زمانی‌که کره‌ای‌ها گوشی‌های هوشمند جدید خود را با نمایشگر اینفینیتی O رونمایی کردند، طراحی حفره‌ی بسیار کوچک دوربین سلفی را برخی کارشناسان تأیید کردند و برخی دیگر از طراحی دوربین سلفی گله‌مند بودند. به‌ فاصله‌ای کوتاه، والپیپرهای خلاقانه‌ای در فضای مجازی منتشر و در گلکسی‌استور به‌اشتراک گذاشته شد که حفره‌ی کوچک روی نمایشگر را در تصویر پنهان می‌کرد.

وجه مشترک والپیپرهای به‌اشتراک گذاشته‌شده در گلکسی‌استور، پنهان‌کردن حفره‌ی دوربین سلفی در نقش‌و‌نگار تصاویر است. کاربران گلکسی نوت ۱۰ و گلکسی نوت ۱۰ پلاسمی‌توانند با مراجعه به Galaxy Store Theme، ضمن مشاهده‌ی والپیپرهای جدید و متنوعی از هنرمندان برجسته‌ای همچون اسکات مارتین (Scott Martin) و جما کورل (Gemma Correll) و ماریلو فار (Marylou Faure)، والپیپر دلخواه خود را به‌‌رایگان انتخاب و استفاده کنند. همچنین، والپیپرهای مذکور از مدل‌های گلکسی اس ۱۰ نیز پشتیبانی می‌کنند.